CO. ШЭНЬЧЖЭНЯ ТЕХНОЛОГИИ VBE, LTD

Умный поставщик водя решений безопасностью RF

Продажа и поддержка
Отправить запрос - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Дом
Продукты
О нас
Путешествие фабрики
Проверка качества
Контакт США
Отправить запрос
Новости
Покупки

Главная страница Продукция RF Мощность транзистор

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому

Все продукты

Сотовый телефон сигнала Jammer (46)

jammer сигнала wifi (21)

Handheld Jammer сигнала (46)

Джаммерс бомбы обоза (23)

jammers телефона тюремной камеры (13)

Jammer сигнала наивысшей мощности (14)

портативный jammer сигнала (15)

jammer сигнала gps (17)

анти- джаммерс трутня (28)

Детекторы дронов (12)

Перехват мобильного телефона (6)

Модуль усилителя силы РФ (24)

Сотовый телефон сигнал повторителя (10)

передвижная ракета -носитель сигнала (12)

детектор сигнала рф (5)

RF Мощность транзистор (10)

Компоненты RF пассивные (6)

Антенны RF (5)

Оставьте нам сообщение

Китай VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. Сертификаты

Мы работаем с командой VBE уже более 10 лет, ваши продвинутые продукты и профессиональные услуги облегчают нашу работу.

—— Стефан

В большинстве тюрем в нашей стране установлены профессиональные тюремные системы VBE.

—— elisa

Ваша система сбоя RICED спасла нам жизнь, спасибо!

—— Мохаммад

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому

Большие изображения : ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому Лучшая цена

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	VBE
Сертификация:	ISO
Номер модели:	ВБЭ80Р6Х

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1шт
Упаковывая детали:	нейтральная упаковка
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Поставка способности:	10k

контакт

Подробное описание продукта

Условие:

новые и оригинальные

Высокий свет:

транзистор RF наивысшей мощности

транзистор усилителя силы рф

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому 0

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому 1

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому 2

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому 3

тег:

транзистор RF наивысшей мощности,

транзистор усилителя силы рф,

высокочастотный транзистор силы

Контактная информация

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Контактное лицо: sales

Телефон: +8613794498013

Оставьте вашу заявку

Больше RF Мощность транзистор

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому

транзистор RF наивысшей мощности

транзистор усилителя силы рф

транзистор RF наивысшей мощности,

транзистор усилителя силы рф,

высокочастотный транзистор силы

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

Прочный ДК диапазона транзистора силы РФ широкий к нитриду галлия 6ГХз 25В 28 вольт

Широкий транзистор ФЭЦ 28В широкополосный ЛДМОС РФ транзистора силы ЛДМОС диапазона 700-3600МХз 20В РФ, транзисторы РФ наивысшей мощности

Превосходный ХФ ФЭТ 28В транзистора ЛДМОС усилителя силы Рф стабильности Тхэрамал к 2.7ГХз

ДК диапазона транзистора силы РФ твердого материала высокоскоростной широкий к 3ГХз 120В

транзисторы наивысшей мощности 28В РФ ФЭЦ 700-1000МХз ЛДМОС 260В с интегрированным предохранением от ЭСД