Отправить сообщение
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com 86-755-86239323
Дом
Продукты

Сотовый телефон сигнала Jammer

jammer сигнала wifi

Handheld Jammer сигнала

Джаммерс бомбы обоза

jammers телефона тюремной камеры

Jammer сигнала наивысшей мощности

портативный jammer сигнала

jammer сигнала gps

анти- джаммерс трутня

Детекторы дронов

Перехват мобильного телефона

Модуль усилителя силы РФ

Сотовый телефон сигнал повторителя

передвижная ракета -носитель сигнала

детектор сигнала рф

RF Мощность транзистор

Компоненты RF пассивные

Антенны RF
О нас
Направление компании
Экскурсия по заводу
Проверка качества
Контакт США
Новости
Покупки
russian
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
цитата
Дом
Продукты
Сотовый телефон сигнала Jammer
jammer сигнала wifi
Handheld Jammer сигнала
Джаммерс бомбы обоза
jammers телефона тюремной камеры
Jammer сигнала наивысшей мощности
портативный jammer сигнала
jammer сигнала gps
анти- джаммерс трутня
Детекторы дронов
Перехват мобильного телефона
Модуль усилителя силы РФ
Сотовый телефон сигнал повторителя
передвижная ракета -носитель сигнала
детектор сигнала рф
RF Мощность транзистор
Компоненты RF пассивные
Антенны RF
О нас
Направление компании
Экскурсия по заводу
Проверка качества
Контакт США
Новости
Новости
Случаи
Покупки
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
продукты
Дом /

продукты

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным
ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

Подробная информация о продукции

Место происхождения: Китай

Фирменное наименование: VBE

Сертификация: ISO

Номер модели: ВБЭ6006Х

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 1шт

Упаковывая детали: нейтральная упаковка

Время доставки: 5-8 рабочих дней

Поставка способности: 10k

Лучшая цена
Свяжитесь сейчас

Спецификации

Описание
Спецификации
Высокий свет:

высокочастотный транзистор силы

,

транзистор усилителя силы rf

,

транзистор силы 60W RF

Условие:
Совершенно новый и оригинальный
Условие:
Совершенно новый и оригинальный
Описание
ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным 0

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным 1

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным 2

 

 

 

Tags:

транзистор RF наивысшей мощности,

транзистор усилителя силы рф,

высокочастотный транзистор силы

Аналогичные продукты
Прочный ДК диапазона транзистора силы РФ широкий к нитриду галлия 6ГХз 25В 28 вольт

Прочный ДК диапазона транзистора силы РФ широкий к нитриду галлия 6ГХз 25В 28 вольт

Лучшая цена
Широкий транзистор ФЭЦ 28В широкополосный ЛДМОС РФ транзистора силы ЛДМОС диапазона 700-3600МХз 20В РФ, транзисторы РФ наивысшей мощности

Широкий транзистор ФЭЦ 28В широкополосный ЛДМОС РФ транзистора силы ЛДМОС диапазона 700-3600МХз 20В РФ, транзисторы РФ наивысшей мощности

Лучшая цена
Превосходный ХФ ФЭТ 28В транзистора ЛДМОС усилителя силы Рф стабильности Тхэрамал к 2.7ГХз

Превосходный ХФ ФЭТ 28В транзистора ЛДМОС усилителя силы Рф стабильности Тхэрамал к 2.7ГХз

Лучшая цена
ДК диапазона транзистора силы РФ твердого материала высокоскоростной широкий к 3ГХз 120В

ДК диапазона транзистора силы РФ твердого материала высокоскоростной широкий к 3ГХз 120В

Лучшая цена
транзисторы наивысшей мощности 28В РФ ФЭЦ 700-1000МХз ЛДМОС 260В с интегрированным предохранением от ЭСД

транзисторы наивысшей мощности 28В РФ ФЭЦ 700-1000МХз ЛДМОС 260В с интегрированным предохранением от ЭСД

Лучшая цена
Широкий ХФ диапазона к ФЭТ 28В РоХс транзистора силы ЛДМОС 1ГХз 55В РФ уступчивому

Широкий ХФ диапазона к ФЭТ 28В РоХс транзистора силы ЛДМОС 1ГХз 55В РФ уступчивому

Лучшая цена
Диапазон 700 транзистора силы нитрида 28В РФ галлия широкий к продолжительности жизни 5000МХз 25В длинной

Диапазон 700 транзистора силы нитрида 28В РФ галлия широкий к продолжительности жизни 5000МХз 25В длинной

Лучшая цена
ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому

ДК к состоянию нитрида 28В галлия усилителя транзистора 8ГХз 6В Рф первоначальному новому

Лучшая цена
Диапазон 700 транзистора силы утверждения ИСО высокочастотный широкий к 6000МХз 15 ватт

Диапазон 700 транзистора силы утверждения ИСО высокочастотный широкий к 6000МХз 15 ватт

Лучшая цена
Отправьте запрос
Пожалуйста, отправьте нам свой запрос, и мы ответим вам как можно скорее.
Отправить
около
Направление компании
Экскурсия по заводу
Проверка качества
Контакт США
Карта сайта
Политика уединения
продукты

Сотовый телефон сигнала Jammer

jammer сигнала wifi

Handheld Jammer сигнала

Джаммерс бомбы обоза

jammers телефона тюремной камеры

Jammer сигнала наивысшей мощности

Контакт США
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com
86-755-86239323
Пол 4, строя 8, индустриальная зона Синвай, район Наньшан, Шэньчжэнь, провинция Гуандун, Китай
Качество Китая хорошее Сотовый телефон сигнала Jammer Поставщик. © авторского права 2024 VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. . Все права Зарезервированный.